Hạn chế sự liên khuếch tán giữa màng Germanium và đế silic bằng màng đa lớp Ge/Carbon ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
Enregistré dans:
Auteurs principaux: | Lương, Thị Kim Phượng, Tịnh, Trúc Ly |
---|---|
Format: | Article |
Langue: | Vietnamese |
Publié: |
2024
|
Sujets: | |
Accès en ligne: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/215627 |
Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Documents similaires
-
Silicon germanium :
par: Singh, Raminderpal
Publié: (2004) -
Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
par: Lương, Thị Kim Phượng, et autres
Publié: (2024) -
Nghiên cứu khả năng khuếch tán khí qua màng phế nang mao mạch (DLCO) ở người lao động tiếp xúc bụi silic
par: Nguyễn, Ngọc Anh, et autres
Publié: (2023) -
Energetic degeneracy and electronic structures of germanium trimers doped with titanium
par: Phạm, Lê Nhân, et autres
Publié: (2021) -
Quá trình khuếch tán
par: Triệu, Nguyên Hùng
Publié: (2008)