Hạn chế sự liên khuếch tán giữa màng Germanium và đế silic bằng màng đa lớp Ge/Carbon ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
Gardado en:
Những tác giả chính: | Lương, Thị Kim Phượng, Tịnh, Trúc Ly |
---|---|
Formato: | Artigo |
Idioma: | Vietnamese |
Publicado: |
2024
|
Những chủ đề: | |
Acceso en liña: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/215627 |
Các nhãn: |
Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Títulos similares
-
Silicon germanium :
por: Singh, Raminderpal
Publicado: (2004) -
Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
por: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
Publicado: (2024) -
Nghiên cứu khả năng khuếch tán khí qua màng phế nang mao mạch (DLCO) ở người lao động tiếp xúc bụi silic
por: Nguyễn, Ngọc Anh, et al.
Publicado: (2023) -
Energetic degeneracy and electronic structures of germanium trimers doped with titanium
por: Phạm, Lê Nhân, et al.
Publicado: (2021) -
Quá trình khuếch tán
por: Triệu, Nguyên Hùng
Publicado: (2008)