Hạn chế sự liên khuếch tán giữa màng Germanium và đế silic bằng màng đa lớp Ge/Carbon ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
में बचाया:
मुख्य लेखकों: | Lương, Thị Kim Phượng, Tịnh, Trúc Ly |
---|---|
स्वरूप: | लेख |
भाषा: | Vietnamese |
प्रकाशित: |
2024
|
विषय: | |
ऑनलाइन पहुंच: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/215627 |
टैग : |
टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
समान संसाधन
-
Silicon germanium :
द्वारा: Singh, Raminderpal
प्रकाशित: (2004) -
Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
द्वारा: Lương, Thị Kim Phượng, और अन्य
प्रकाशित: (2024) -
Nghiên cứu khả năng khuếch tán khí qua màng phế nang mao mạch (DLCO) ở người lao động tiếp xúc bụi silic
द्वारा: Nguyễn, Ngọc Anh, और अन्य
प्रकाशित: (2023) -
Energetic degeneracy and electronic structures of germanium trimers doped with titanium
द्वारा: Phạm, Lê Nhân, और अन्य
प्रकाशित: (2021) -
Quá trình khuếch tán
द्वारा: Triệu, Nguyên Hùng
प्रकाशित: (2008)