Hạn chế sự liên khuếch tán giữa màng Germanium và đế silic bằng màng đa lớp Ge/Carbon ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
Salvato in:
Autori principali: | Lương, Thị Kim Phượng, Tịnh, Trúc Ly |
---|---|
Natura: | Articolo |
Lingua: | Vietnamese |
Pubblicazione: |
2024
|
Soggetti: | |
Accesso online: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/215627 |
Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne! !
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Documenti analoghi
-
Silicon germanium :
di: Singh, Raminderpal
Pubblicazione: (2004) -
Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
di: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
Pubblicazione: (2024) -
Nghiên cứu khả năng khuếch tán khí qua màng phế nang mao mạch (DLCO) ở người lao động tiếp xúc bụi silic
di: Nguyễn, Ngọc Anh, et al.
Pubblicazione: (2023) -
Energetic degeneracy and electronic structures of germanium trimers doped with titanium
di: Phạm, Lê Nhân, et al.
Pubblicazione: (2021) -
Quá trình khuếch tán
di: Triệu, Nguyên Hùng
Pubblicazione: (2008)