Hạn chế sự liên khuếch tán giữa màng Germanium và đế silic bằng màng đa lớp Ge/Carbon ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
Zapisane w:
Główni autorzy: | Lương, Thị Kim Phượng, Tịnh, Trúc Ly |
---|---|
Format: | Artykuł |
Język: | Vietnamese |
Wydane: |
2024
|
Hasła przedmiotowe: | |
Dostęp online: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/215627 |
Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Podobne zapisy
-
Silicon germanium :
od: Singh, Raminderpal
Wydane: (2004) -
Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
od: Lương, Thị Kim Phượng, i wsp.
Wydane: (2024) -
Nghiên cứu khả năng khuếch tán khí qua màng phế nang mao mạch (DLCO) ở người lao động tiếp xúc bụi silic
od: Nguyễn, Ngọc Anh, i wsp.
Wydane: (2023) -
Energetic degeneracy and electronic structures of germanium trimers doped with titanium
od: Phạm, Lê Nhân, i wsp.
Wydane: (2021) -
Quá trình khuếch tán
od: Triệu, Nguyên Hùng
Wydane: (2008)