Hạn chế sự liên khuếch tán giữa màng Germanium và đế silic bằng màng đa lớp Ge/Carbon ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
Na minha lista:
Principais autores: | Lương, Thị Kim Phượng, Tịnh, Trúc Ly |
---|---|
Formato: | Atigo |
Idioma: | Vietnamese |
Publicado em: |
2024
|
Assuntos: | |
Acesso em linha: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/215627 |
Tags: |
Adicionar Tag
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Registros relacionados
-
Silicon germanium :
por: Singh, Raminderpal
Publicado em: (2004) -
Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
por: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
Publicado em: (2024) -
Nghiên cứu khả năng khuếch tán khí qua màng phế nang mao mạch (DLCO) ở người lao động tiếp xúc bụi silic
por: Nguyễn, Ngọc Anh, et al.
Publicado em: (2023) -
Energetic degeneracy and electronic structures of germanium trimers doped with titanium
por: Phạm, Lê Nhân, et al.
Publicado em: (2021) -
Quá trình khuếch tán
por: Triệu, Nguyên Hùng
Publicado em: (2008)