Hạn chế sự liên khuếch tán giữa màng Germanium và đế silic bằng màng đa lớp Ge/Carbon ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
Сохранить в:
Главные авторы: | Lương, Thị Kim Phượng, Tịnh, Trúc Ly |
---|---|
Формат: | Статья |
Язык: | Vietnamese |
Опубликовано: |
2024
|
Предметы: | |
Online-ссылка: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/215627 |
Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Схожие документы
-
Silicon germanium :
по: Singh, Raminderpal
Опубликовано: (2004) -
Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
по: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
Опубликовано: (2024) -
Nghiên cứu khả năng khuếch tán khí qua màng phế nang mao mạch (DLCO) ở người lao động tiếp xúc bụi silic
по: Nguyễn, Ngọc Anh, et al.
Опубликовано: (2023) -
Energetic degeneracy and electronic structures of germanium trimers doped with titanium
по: Phạm, Lê Nhân, et al.
Опубликовано: (2021) -
Quá trình khuếch tán
по: Triệu, Nguyên Hùng
Опубликовано: (2008)