Hạn chế sự liên khuếch tán giữa màng Germanium và đế silic bằng màng đa lớp Ge/Carbon ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
Kaydedildi:
Asıl Yazarlar: | Lương, Thị Kim Phượng, Tịnh, Trúc Ly |
---|---|
Materyal Türü: | Makale |
Dil: | Vietnamese |
Baskı/Yayın Bilgisi: |
2024
|
Konular: | |
Online Erişim: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/215627 |
Etiketler: |
Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Benzer Materyaller
-
Silicon germanium :
Yazar:: Singh, Raminderpal
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004) -
Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
Yazar:: Lương, Thị Kim Phượng, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2024) -
Nghiên cứu khả năng khuếch tán khí qua màng phế nang mao mạch (DLCO) ở người lao động tiếp xúc bụi silic
Yazar:: Nguyễn, Ngọc Anh, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2023) -
Energetic degeneracy and electronic structures of germanium trimers doped with titanium
Yazar:: Phạm, Lê Nhân, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2021) -
Quá trình khuếch tán
Yazar:: Triệu, Nguyên Hùng
Baskı/Yayın Bilgisi: (2008)