Hạn chế sự liên khuếch tán giữa màng Germanium và đế silic bằng màng đa lớp Ge/Carbon ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Lương, Thị Kim Phượng, Tịnh, Trúc Ly |
---|---|
格式: | Bài viết |
語言: | Vietnamese |
出版: |
2024
|
主題: | |
在線閱讀: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/215627 |
標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
相似書籍
-
Silicon germanium :
由: Singh, Raminderpal
出版: (2004) -
Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
由: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
出版: (2024) -
Nghiên cứu khả năng khuếch tán khí qua màng phế nang mao mạch (DLCO) ở người lao động tiếp xúc bụi silic
由: Nguyễn, Ngọc Anh, et al.
出版: (2023) -
Energetic degeneracy and electronic structures of germanium trimers doped with titanium
由: Phạm, Lê Nhân, et al.
出版: (2021) -
Quá trình khuếch tán
由: Triệu, Nguyên Hùng
出版: (2008)