Phát triển đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM)
Thông qua việc thực hiện đề tài nghiên cứu cấp bộ, các nhà khoa học thuộc Trung tâm Chiếu xạ Hà Nội đã thiết kế, chế tạo thành công đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM), góp phần phát triển các thiết bị ghi đo hạt nhân gọn, nhẹ và tiết kiệm năng lượng...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Nguyễn, Văn Sỹ |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2025
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/257388 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Phát triển đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM)
Bỡi: Nguyễn, Văn Sỹ
Được phát hành: (2024) -
Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon.
Bỡi: Nguyễn, Văn Sỹ, et al.
Được phát hành: (2024) -
Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon
Bỡi: Nguyễn, Văn Sỹ, et al.
Được phát hành: (2024) -
Chế tạo đầu đo nhấp nháy CsI(Tl) ghép nối quang đi ốt ghi đo bức xạ gamma
Bỡi: Phạm, Đình Khang, et al.
Được phát hành: (2023) -
Xây dựng hệ đo gamma đơn kênh sử dụng công nghệ silicon photomultiplier (SiPM)
Bỡi: Lại, Viết Hải, et al.
Được phát hành: (2023)