Phát triển đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM)

Thông qua việc thực hiện đề tài nghiên cứu cấp bộ, các nhà khoa học thuộc Trung tâm Chiếu xạ Hà Nội đã thiết kế, chế tạo thành công đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM), góp phần phát triển các thiết bị ghi đo hạt nhân gọn, nhẹ và tiết kiệm năng lượng...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Nguyễn, Văn Sỹ
Định dạng: Bài viết
Ngôn ngữ:Vietnamese
Được phát hành: 2025
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/257388
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự