Nghiên cứu ảnh hưởng của vật liệu đế α-SiO2 đến khả năng hấp phụ khí CO của graphene bằng tính toán mô phỏng lý thuyết phiếm hàm mật độ

Cơ chế hấp phụ phân tử khí CO trên bề mặt của graphene tự do và graphene đặt trên vật liệu đế α-SiO2 (G/SiO2) được nghiên cứu bằng phương pháp mô phỏng lý thuyết hàm mật độ. Kết quả tính toán cho thấy sự hấp phụ khí CO trên bề mặt graphene là hấp phụ vật lý điển hình. Các thuộc tính hấp phụ của khí...

Popoln opis

Shranjeno v:
Bibliografske podrobnosti
Những tác giả chính: Phùng, Thị Việt Bắc, Phạm, Bá Lịch, Đinh, Văn An
Format: Bài viết
Jezik:Vietnamese
Izdano: 2025
Teme:
Online dostop:https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/258040
Oznake: Označite
Brez oznak, prvi označite!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt