Chế tạo và khảo sát tính chất của lớp chuyển tiếp p-n trên cơ sở màng mỏng ZnO và khả năng ứng dụng của chúng
Nghiên cứu chế tạo màng ZnO có chất lượng cao bằng phương pháp phún xạ r.f. magnetron trên thiết bị Univex-450 của hãng Leybold. Chế tạo bia ZnO và ZnO pha tạp từ bột ZnO và bột In2O3 của hãng Merck bằng phương pháp gốm truyền thống trên các thiết bị của dự án OPEC. Chế tạo màng In+Al bằng phương ph...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , |
|---|---|
| Định dạng: | Bài viết |
| Ngôn ngữ: | Vietnamese |
| Được phát hành: |
Đại học Quốc gia Hà Nội
2015
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/57154 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
| Tóm tắt: | Nghiên cứu chế tạo màng ZnO có chất lượng cao bằng phương pháp phún xạ r.f. magnetron trên thiết bị Univex-450 của hãng Leybold. Chế tạo bia ZnO và ZnO pha tạp từ bột ZnO và bột In2O3 của hãng Merck bằng phương pháp gốm truyền thống trên các thiết bị của dự án OPEC. Chế tạo màng In+Al bằng phương pháp bốc bay nhiệt trong chân không. Kết quả đề tài đã đưa các thiết bị chế tạo màng mỏng bằng phún xạ catốt Univex-450 và bốc bay nhiệt trong chân không Univex-300 vào hoạt động có hiệu quả. Đã chế tạo thành công các loại bia ZnO và ZnO pha tạp bằng phương pháp gốm truyền thống. Tìm được chế độ công nghệ để chế tạo màng ZnO và màng ZnO pha tạp In trên đế p-Si và đế thủy tinh bằng phương pháp phún xạ r.f. magnetron trên thiết bị Univex-450. Đã chế tạo màng quang trở ZnO nhạy ở vùng UV. Chế tạo thành công pin mặt trời n-ZnO: In-p-Si để làm cảm biến nhạy quang. Ứng dụng lớp chuyển tiếp p-n làm cảm biến đóng mở tự động đèn đường. |
|---|