Mostrar 1 - 3 resultats de 3 per cerca 'IEEE Transactions on Power Electronics', hora de la petició: 0.07sec Refinar resultats
1
Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Obtenir text complet
Afegir a favorits
Guardat en:
2
Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Obtenir text complet
Afegir a favorits
Guardat en:
3
Thiết kế chế tạo thiết bị phát hiện và cảnh báo nguồn phóng xạ ngoài quản lý
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
Obtenir text complet
Afegir a favorits
Guardat en:
Eines de cerca: Obtenir subscripció RSS — Enviar per correu electrònic aquesta cerca — Guardar cerca