Hiệu ứng chắn động trong dây lượng tử kích thích cao với gần lượng cực plasmon : Luận văn Thạc sĩ Khoa học. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Trình bày một số vấn đề cơ bản của hình thức luận ham green mátubara; mô hình day lượng tử với rào thế bên parabol và hamiltonian của hệ điện tử-lỗ trống trong dây lượngtử từ đó dẫn ra thể tương tác coulomb trần.; hiệu ứng chắn đọ...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | Thi, Trần Anh Tú |
|---|---|
| Médium: | Kniha |
| Jazyk: | Undetermined |
| Vydáno: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2010
|
| Témata: | |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Podobné jednotky
-
Độ tái chuẩn hóa khe vùng của dây lượng tử trong gần đúng lưỡng cực Plasmon :
Autor: Trần, Hữu Hạnh
Vydáno: (2009) -
Mô phỏng nghiên cứu sự ảnh hưởng của các tham số cấu trúc của Bạc đến hiệu ứng Plasmon bề mặt để nâng cao hiệu suất của pin quang điện :
Autor: Trương, Thanh Tuấn
Vydáno: (2020) -
Vật lý plasma
Autor: Nguyễn Hữu Chí
Vydáno: (1995) -
Plasma physics :
Vydáno: (2003) -
Lập trình mô phỏng dựa trên phương pháp phổ phát xạ để xác định đặc tính của Plasma Helium :
Autor: Nguyễn, Thị Ngọc Tuyền
Vydáno: (2019)