Hiệu ứng chắn động trong dây lượng tử kích thích cao với gần lượng cực plasmon : Luận văn Thạc sĩ Khoa học. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Trình bày một số vấn đề cơ bản của hình thức luận ham green mátubara; mô hình day lượng tử với rào thế bên parabol và hamiltonian của hệ điện tử-lỗ trống trong dây lượngtử từ đó dẫn ra thể tương tác coulomb trần.; hiệu ứng chắn đọ...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Thi, Trần Anh Tú |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2010
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
Những quyển sách tương tự
Những quyển sách tương tự
-
Độ tái chuẩn hóa khe vùng của dây lượng tử trong gần đúng lưỡng cực Plasmon :
Bỡi: Trần, Hữu Hạnh
Được phát hành: (2009) -
Mô phỏng nghiên cứu sự ảnh hưởng của các tham số cấu trúc của Bạc đến hiệu ứng Plasmon bề mặt để nâng cao hiệu suất của pin quang điện :
Bỡi: Trương, Thanh Tuấn
Được phát hành: (2020) -
Vật lý plasma
Bỡi: Nguyễn Hữu Chí
Được phát hành: (1995) -
Plasma physics :
Được phát hành: (2003) -
Lập trình mô phỏng dựa trên phương pháp phổ phát xạ để xác định đặc tính của Plasma Helium :
Bỡi: Nguyễn, Thị Ngọc Tuyền
Được phát hành: (2019)