Hiệu ứng chắn động trong dây lượng tử kích thích cao với gần lượng cực plasmon : Luận văn Thạc sĩ Khoa học. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Trình bày một số vấn đề cơ bản của hình thức luận ham green mátubara; mô hình day lượng tử với rào thế bên parabol và hamiltonian của hệ điện tử-lỗ trống trong dây lượngtử từ đó dẫn ra thể tương tác coulomb trần.; hiệu ứng chắn đọ...
Сохранить в:
| Главный автор: | Thi, Trần Anh Tú |
|---|---|
| Формат: | |
| Язык: | Undetermined |
| Опубликовано: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2010
|
| Предметы: | |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Схожие документы
-
Độ tái chuẩn hóa khe vùng của dây lượng tử trong gần đúng lưỡng cực Plasmon :
по: Trần, Hữu Hạnh
Опубликовано: (2009) -
Mô phỏng nghiên cứu sự ảnh hưởng của các tham số cấu trúc của Bạc đến hiệu ứng Plasmon bề mặt để nâng cao hiệu suất của pin quang điện :
по: Trương, Thanh Tuấn
Опубликовано: (2020) -
Vật lý plasma
по: Nguyễn Hữu Chí
Опубликовано: (1995) -
Plasma physics :
Опубликовано: (2003) -
Lập trình mô phỏng dựa trên phương pháp phổ phát xạ để xác định đặc tính của Plasma Helium :
по: Nguyễn, Thị Ngọc Tuyền
Опубликовано: (2019)