Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaN ở nhiệt độ thấp : Luận văn thạc sĩ . Ngành Vật lý lý thuyết và vật lý toán

Nghiên cứu sơ lược về giếng lượng tử GaN và các lý thuyết chung về phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử, thế giam giữ khí điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN . Qua đó, đưa ra kết quả, kết lua...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Lê, Thị Thu Vân
Format: Książka
Język:Undetermined
Wydane: Cần Thơ Đại học Cần Thơ 2013
Hasła przedmiotowe:
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ
LEADER 01317nam a2200217Ia 4500
001 CTU_184390
008 210402s9999 xx 000 0 und d
082 |a 539.75 
082 |b V121 
088 |a 60440103 
100 |a Lê, Thị Thu Vân 
245 0 |a Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaN ở nhiệt độ thấp : 
245 0 |b Luận văn thạc sĩ . Ngành Vật lý lý thuyết và vật lý toán 
245 0 |c Lê Thị Thu Vân ; Nguyễn Thành Tiên người hướng dẫn 
260 |a Cần Thơ 
260 |b Đại học Cần Thơ 
260 |c 2013 
520 |a Nghiên cứu sơ lược về giếng lượng tử GaN và các lý thuyết chung về phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử, thế giam giữ khí điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN . Qua đó, đưa ra kết quả, kết luận và kiến nghị. 
650 |a Vật lý lượng tử,Nuclear physics 
904 |i Thu Lài 
980 |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ