Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaN ở nhiệt độ thấp : Luận văn thạc sĩ . Ngành Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Nghiên cứu sơ lược về giếng lượng tử GaN và các lý thuyết chung về phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử, thế giam giữ khí điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN . Qua đó, đưa ra kết quả, kết lua...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Đại học Cần Thơ
2013
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
LEADER | 01317nam a2200217Ia 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | CTU_184390 | ||
008 | 210402s9999 xx 000 0 und d | ||
082 | |a 539.75 | ||
082 | |b V121 | ||
088 | |a 60440103 | ||
100 | |a Lê, Thị Thu Vân | ||
245 | 0 | |a Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaN ở nhiệt độ thấp : | |
245 | 0 | |b Luận văn thạc sĩ . Ngành Vật lý lý thuyết và vật lý toán | |
245 | 0 | |c Lê Thị Thu Vân ; Nguyễn Thành Tiên người hướng dẫn | |
260 | |a Cần Thơ | ||
260 | |b Đại học Cần Thơ | ||
260 | |c 2013 | ||
520 | |a Nghiên cứu sơ lược về giếng lượng tử GaN và các lý thuyết chung về phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử, thế giam giữ khí điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN . Qua đó, đưa ra kết quả, kết luận và kiến nghị. | ||
650 | |a Vật lý lượng tử,Nuclear physics | ||
904 | |i Thu Lài | ||
980 | |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |