Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaN ở nhiệt độ thấp : Luận văn thạc sĩ . Ngành Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Nghiên cứu sơ lược về giếng lượng tử GaN và các lý thuyết chung về phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử, thế giam giữ khí điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN . Qua đó, đưa ra kết quả, kết lua...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Lê, Thị Thu Vân |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Đại học Cần Thơ
2013
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Ảnh hưởng của các nguồn tán xạ vào bề rộng vạch phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử GaAs ở nhiệt độ thấp :
Bỡi: Đặng, Minh Thứ
Được phát hành: (2013) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
Bỡi: Đỗ, Mười, et al.
Được phát hành: (2019) -
Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD
Bỡi: Trần, Bình Tịnh
Được phát hành: (2011) -
Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN :
Bỡi: Tiêu, Tín Nguyên
Được phát hành: (2017) -
Khả năng điếu khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
Bỡi: Doan, The Ngo Vinh, et al.
Được phát hành: (2023)