Nghiên cứu cấu tạo bề mặt TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày những nghiên cứu thực nghiệm và lý thuyết trên bề mặt TiO2, kỹ thuật tính toán và mô phỏng bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh.
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Tác giả của công ty: | |
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
LEADER | 01159nam a2200229Ia 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | CTU_193106 | ||
008 | 210402s9999 xx 000 0 und d | ||
082 | |a 621.38152 | ||
082 | |b Kh561 | ||
088 | |a 60440103 | ||
100 | |a Nguyễn, Vy Khương | ||
110 | |a . | ||
245 | 0 | |a Nghiên cứu cấu tạo bề mặt TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : | |
245 | 0 | |b Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán | |
245 | 0 | |c Nguyễn Vy Khương ; Huỳnh Anh Huy (Cán bộ hướng dẫn) | |
260 | |a Cần Thơ | ||
260 | |b Trường Đại học Cần Thơ | ||
260 | |c 2014 | ||
520 | |a Đề tài trình bày những nghiên cứu thực nghiệm và lý thuyết trên bề mặt TiO2, kỹ thuật tính toán và mô phỏng bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh. | ||
650 | |a Semiconductors,Chất bán dẫn | ||
904 | |i Hải | ||
980 | |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |