Nghiên cứu cấu tạo bề mặt TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán

Đề tài trình bày những nghiên cứu thực nghiệm và lý thuyết trên bề mặt TiO2, kỹ thuật tính toán và mô phỏng bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh.

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Nguyễn, Vy Khương
Tác giả của công ty: .
Định dạng: Sách
Ngôn ngữ:Undetermined
Được phát hành: Cần Thơ Trường Đại học Cần Thơ 2014
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ
LEADER 01159nam a2200229Ia 4500
001 CTU_193106
008 210402s9999 xx 000 0 und d
082 |a 621.38152 
082 |b Kh561 
088 |a 60440103 
100 |a Nguyễn, Vy Khương 
110 |a . 
245 0 |a Nghiên cứu cấu tạo bề mặt TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : 
245 0 |b Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán 
245 0 |c Nguyễn Vy Khương ; Huỳnh Anh Huy (Cán bộ hướng dẫn) 
260 |a Cần Thơ 
260 |b Trường Đại học Cần Thơ 
260 |c 2014 
520 |a Đề tài trình bày những nghiên cứu thực nghiệm và lý thuyết trên bề mặt TiO2, kỹ thuật tính toán và mô phỏng bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh. 
650 |a Semiconductors,Chất bán dẫn 
904 |i Hải 
980 |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ