Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán

Đề tài trình bày sơ lược về tính chất của vật liệu AlGaN/GaN, tính toán cho giếng lượng tử đối xứng, khảo sát phổ hấp thụ của giếng lượng tử AlGaN/GaN.

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Phạm, Thị Thúy Oanh
Tác giả của công ty: .
Định dạng: Sách
Ngôn ngữ:Undetermined
Được phát hành: Cần Thơ Trường Đại học Cần Thơ 2014
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ
LEADER 01116nam a2200229Ia 4500
001 CTU_193361
008 210402s9999 xx 000 0 und d
082 |a 621.38152 
082 |b O.408 
088 |a 60440103 
100 |a Phạm, Thị Thúy Oanh 
110 |a . 
245 0 |a Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN : 
245 0 |b Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán 
245 0 |c Phạm Thị Thúy Oanh ; Nguyễn Thành Tiên (Cán bộ hướng dẫn) 
260 |a Cần Thơ 
260 |b Trường Đại học Cần Thơ 
260 |c 2014 
520 |a Đề tài trình bày sơ lược về tính chất của vật liệu AlGaN/GaN, tính toán cho giếng lượng tử đối xứng, khảo sát phổ hấp thụ của giếng lượng tử AlGaN/GaN. 
650 |a Semiconductors,Chất bán dẫn 
904 |i Hải 
980 |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ