Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về tính chất của vật liệu AlGaN/GaN, tính toán cho giếng lượng tử đối xứng, khảo sát phổ hấp thụ của giếng lượng tử AlGaN/GaN.
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Tác giả của công ty: | |
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
LEADER | 01116nam a2200229Ia 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | CTU_193361 | ||
008 | 210402s9999 xx 000 0 und d | ||
082 | |a 621.38152 | ||
082 | |b O.408 | ||
088 | |a 60440103 | ||
100 | |a Phạm, Thị Thúy Oanh | ||
110 | |a . | ||
245 | 0 | |a Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN : | |
245 | 0 | |b Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán | |
245 | 0 | |c Phạm Thị Thúy Oanh ; Nguyễn Thành Tiên (Cán bộ hướng dẫn) | |
260 | |a Cần Thơ | ||
260 | |b Trường Đại học Cần Thơ | ||
260 | |c 2014 | ||
520 | |a Đề tài trình bày sơ lược về tính chất của vật liệu AlGaN/GaN, tính toán cho giếng lượng tử đối xứng, khảo sát phổ hấp thụ của giếng lượng tử AlGaN/GaN. | ||
650 | |a Semiconductors,Chất bán dẫn | ||
904 | |i Hải | ||
980 | |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |