Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về tính chất của vật liệu AlGaN/GaN, tính toán cho giếng lượng tử đối xứng, khảo sát phổ hấp thụ của giếng lượng tử AlGaN/GaN.
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | Phạm, Thị Thúy Oanh |
|---|---|
| সংস্থা লেখক: | . |
| বিন্যাস: | গ্রন্থ |
| ভাষা: | Undetermined |
| প্রকাশিত: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
| বিষয়গুলি: | |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN :
অনুযায়ী: Tiêu, Tín Nguyên
প্রকাশিত: (2017) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
অনুযায়ী: Than, Hong Phuc, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2022) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
অনুযায়ী: Đặng, Hồng Cám
প্রকাশিত: (2012) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
অনুযায়ী: Than, Hong Phuc, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2022) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
অনুযায়ী: Nguyễn, Thanh Tuấn
প্রকাশিত: (2013)