Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về tính chất của vật liệu AlGaN/GaN, tính toán cho giếng lượng tử đối xứng, khảo sát phổ hấp thụ của giếng lượng tử AlGaN/GaN.
Spremljeno u:
| Glavni autor: | Phạm, Thị Thúy Oanh |
|---|---|
| Autor kompanije: | . |
| Format: | Knjiga |
| Jezik: | Undetermined |
| Izdano: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
| Teme: | |
| Oznake: |
Dodaj oznaku
Bez oznaka, Budi prvi tko označuje ovaj zapis!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Similar Items
-
Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN :
od: Tiêu, Tín Nguyên
Izdano: (2017) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
od: Than, Hong Phuc, i dr.
Izdano: (2022) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
od: Đặng, Hồng Cám
Izdano: (2012) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
od: Than, Hong Phuc, i dr.
Izdano: (2022) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
od: Nguyễn, Thanh Tuấn
Izdano: (2013)