Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về tính chất của vật liệu AlGaN/GaN, tính toán cho giếng lượng tử đối xứng, khảo sát phổ hấp thụ của giếng lượng tử AlGaN/GaN.
Đã lưu trong:
| 主要作者: | Phạm, Thị Thúy Oanh |
|---|---|
| 企業作者: | . |
| 格式: | 圖書 |
| 語言: | Undetermined |
| 出版: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
| 主題: | |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
相似書籍
-
Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN :
由: Tiêu, Tín Nguyên
出版: (2017) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
由: Than, Hong Phuc, et al.
出版: (2022) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
由: Đặng, Hồng Cám
出版: (2012) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
由: Than, Hong Phuc, et al.
出版: (2022) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
由: Nguyễn, Thanh Tuấn
出版: (2013)