Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về tính chất của vật liệu AlGaN/GaN, tính toán cho giếng lượng tử đối xứng, khảo sát phổ hấp thụ của giếng lượng tử AlGaN/GaN.
Kaydedildi:
| Yazar: | Phạm, Thị Thúy Oanh |
|---|---|
| Müşterek Yazar: | . |
| Materyal Türü: | Kitap |
| Dil: | Undetermined |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
| Konular: | |
| Etiketler: |
Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Benzer Materyaller
-
Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN :
Yazar:: Tiêu, Tín Nguyên
Baskı/Yayın Bilgisi: (2017) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
Yazar:: Than, Hong Phuc, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2022) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
Yazar:: Đặng, Hồng Cám
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
Yazar:: Than, Hong Phuc, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2022) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
Yazar:: Nguyễn, Thanh Tuấn
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)