Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về tính chất của vật liệu AlGaN/GaN, tính toán cho giếng lượng tử đối xứng, khảo sát phổ hấp thụ của giếng lượng tử AlGaN/GaN.
Gorde:
| Egile nagusia: | Phạm, Thị Thúy Oanh |
|---|---|
| Erakunde egilea: | . |
| Formatua: | Liburua |
| Hizkuntza: | Undetermined |
| Argitaratua: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
| Gaiak: | |
| Etiketak: |
Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Antzeko izenburuak
-
Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN :
nork: Tiêu, Tín Nguyên
Argitaratua: (2017) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
nork: Than, Hong Phuc, et al.
Argitaratua: (2022) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
nork: Đặng, Hồng Cám
Argitaratua: (2012) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
nork: Than, Hong Phuc, et al.
Argitaratua: (2022) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
nork: Nguyễn, Thanh Tuấn
Argitaratua: (2013)