Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về tính chất của vật liệu AlGaN/GaN, tính toán cho giếng lượng tử đối xứng, khảo sát phổ hấp thụ của giếng lượng tử AlGaN/GaN.
שמור ב:
| מחבר ראשי: | Phạm, Thị Thúy Oanh |
|---|---|
| מחבר תאגידי: | . |
| פורמט: | ספר |
| שפה: | Undetermined |
| יצא לאור: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
| נושאים: | |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
פריטים דומים
-
Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN :
מאת: Tiêu, Tín Nguyên
יצא לאור: (2017) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
מאת: Than, Hong Phuc, et al.
יצא לאור: (2022) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
מאת: Đặng, Hồng Cám
יצא לאור: (2012) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
מאת: Than, Hong Phuc, et al.
יצא לאור: (2022) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
מאת: Nguyễn, Thanh Tuấn
יצא לאור: (2013)