Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về tính chất của vật liệu AlGaN/GaN, tính toán cho giếng lượng tử đối xứng, khảo sát phổ hấp thụ của giếng lượng tử AlGaN/GaN.
Uloženo v:
| Hlavní autor: | Phạm, Thị Thúy Oanh |
|---|---|
| Korporativní autor: | . |
| Médium: | Kniha |
| Jazyk: | Undetermined |
| Vydáno: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
| Témata: | |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Podobné jednotky
-
Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN :
Autor: Tiêu, Tín Nguyên
Vydáno: (2017) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
Autor: Than, Hong Phuc, a další
Vydáno: (2022) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
Autor: Đặng, Hồng Cám
Vydáno: (2012) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
Autor: Than, Hong Phuc, a další
Vydáno: (2022) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
Autor: Nguyễn, Thanh Tuấn
Vydáno: (2013)