Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN : Luận văn Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Đề tài trình bày sơ lược về tính chất của vật liệu AlGaN/GaN, tính toán cho giếng lượng tử đối xứng, khảo sát phổ hấp thụ của giếng lượng tử AlGaN/GaN.
保存先:
| 第一著者: | Phạm, Thị Thúy Oanh |
|---|---|
| 団体著者: | . |
| フォーマット: | 図書 |
| 言語: | Undetermined |
| 出版事項: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2014
|
| 主題: | |
| タグ: |
タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
類似資料
-
Độ linh động điện tử đa vùng con trong các cấu trúc giếng lượng tử bất đối xứng dựa trên hệ vật liệu GaN/AlGaN :
著者:: Tiêu, Tín Nguyên
出版事項: (2017) -
Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
著者:: Than, Hong Phuc, 等
出版事項: (2022) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
著者:: Đặng, Hồng Cám
出版事項: (2012) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
著者:: Than, Hong Phuc, 等
出版事項: (2022) -
Độ linh động điện tử trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu GaN/ AlGaN :
著者:: Nguyễn, Thanh Tuấn
出版事項: (2013)