Nghiên cứu lý thuyết cấu trúc vùng năng lượng của Zigzag Graphene hai lớp bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh : Luận văn Thạc sĩ. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Xây dựng mô hình tính toán cho tiết hamiltonian cho Zigzag Graphene hai lớp theo hình AB_Stacking bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh thông qua đó xác định được cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu. Với cấu trúc tồn tại Fatband cho thấy bản...
Сохранить в:
| Главный автор: | Nguyễn, Thị Kim Quyên |
|---|---|
| Формат: | |
| Язык: | Undetermined |
| Опубликовано: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2016
|
| Предметы: | |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Схожие документы
-
Khảo sát đặc trưng dẫn điện trong Graphene hai lớp bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh :
по: Nguyễn, Thị Kim Huệ
Опубликовано: (2016) -
Nghiên cứu lý thuyết cấu trúc vùng năng lượng của Penta - Graphene bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh :
по: Nguyễn , Thị Mỹ Lệ Tiên
Опубликовано: (2016) -
Nghiên cứu lý thuyết về việc mở rộng vùng cấm trong Graphene hai lớp (Armchair bilayer Graphene) bằng cách sử dụng điện trường ngoài :
по: Võ, Văn Hoà
Опубликовано: (2016) -
Ảnh hưởng của điện trường lên cấu trúc vùng năng lượng của Graphene hai lớp :
по: Nguyễn, Văn Giang
Опубликовано: (2017) -
Nghiên cứu đặc trưng dẫn điện và mật độ trạng thái của Penta - Graphene bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh :
по: Phạm, Thanh Thủy
Опубликовано: (2016)