Nghiên cứu tính chất điện tử vật liệu Graphene hai lớp bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán

Khảo sát cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái của bGNRs với hai biên zigzag và armchair theo hai kiểu xếp Â-stacking và AB-stacking.

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Nguyễn, Phương Dung
Format: Książka
Język:Undetermined
Wydane: Cần Thơ Trường Đại học Cần Thơ 2017
Hasła przedmiotowe:
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ
LEADER 01109nam a2200205Ia 4500
001 CTU_224739
008 210402s9999 xx 000 0 und d
082 |a 621.38152 
082 |b D513 
100 |a Nguyễn, Phương Dung 
245 0 |a Nghiên cứu tính chất điện tử vật liệu Graphene hai lớp bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : 
245 0 |b Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán 
245 0 |c Nguyễn Phương Dung ; Huỳnh Anh Huy (Người hướng dẫn) 
260 |a Cần Thơ 
260 |b Trường Đại học Cần Thơ 
260 |c 2017 
520 |a Khảo sát cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái của bGNRs với hai biên zigzag và armchair theo hai kiểu xếp Â-stacking và AB-stacking. 
650 |a Màng (Công nghệ),Membranes (Technology) 
910 |b nthai 
980 |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ