Nghiên cứu tính chất điện tử vật liệu Graphene hai lớp bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Khảo sát cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái của bGNRs với hai biên zigzag và armchair theo hai kiểu xếp Â-stacking và AB-stacking.
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Nguyễn, Phương Dung |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2017
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Nghiên cứu cấu trúc Silicene bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
Bỡi: Nguyễn, Thị Quế Trinh
Được phát hành: (2017) -
Nghiên cứu cấu trúc điện tử của dãy penta-silicene đơn lớp bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
Bỡi: Lê, Thị Thúy My
Được phát hành: (2019) -
Nghiên cứu tính chất màng ZnO chức năng hóa bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
Bỡi: Trần, Hà Duy
Được phát hành: (2017) -
Phát hiện sự lai giống của DNA dựa trên vật liệu graphene đơn lớp bằng phương pháp đo hiệu ứng Hall :
Bỡi: Phan, Thị Kim Loan
Được phát hành: (2017) -
Ảnh hưởng của điện trường lên tính chất quang của graphene hai lớp :
Bỡi: Trần, Minh Trung
Được phát hành: (2019)