Nghiên cứu tính chất điện tử vật liệu Graphene hai lớp bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Khảo sát cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái của bGNRs với hai biên zigzag và armchair theo hai kiểu xếp Â-stacking và AB-stacking.
Αποθηκεύτηκε σε:
Κύριος συγγραφέας: | Nguyễn, Phương Dung |
---|---|
Μορφή: | Βιβλίο |
Γλώσσα: | Undetermined |
Έκδοση: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2017
|
Θέματα: | |
Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
Παρόμοια τεκμήρια
-
Nghiên cứu cấu trúc Silicene bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
ανά: Nguyễn, Thị Quế Trinh
Έκδοση: (2017) -
Nghiên cứu cấu trúc điện tử của dãy penta-silicene đơn lớp bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
ανά: Lê, Thị Thúy My
Έκδοση: (2019) -
Nghiên cứu tính chất màng ZnO chức năng hóa bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
ανά: Trần, Hà Duy
Έκδοση: (2017) -
Ảnh hưởng của điện trường lên tính chất quang của graphene hai lớp :
ανά: Trần, Minh Trung
Έκδοση: (2019) -
Phát hiện sự lai giống của DNA dựa trên vật liệu graphene đơn lớp bằng phương pháp đo hiệu ứng Hall :
ανά: Phan, Thị Kim Loan
Έκδοση: (2017)