Nghiên cứu tính chất điện tử vật liệu Graphene hai lớp bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Khảo sát cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái của bGNRs với hai biên zigzag và armchair theo hai kiểu xếp Â-stacking và AB-stacking.
Enregistré dans:
Auteur principal: | Nguyễn, Phương Dung |
---|---|
Format: | Livre |
Langue: | Undetermined |
Publié: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2017
|
Sujets: | |
Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
Documents similaires
-
Nghiên cứu cấu trúc Silicene bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
par: Nguyễn, Thị Quế Trinh
Publié: (2017) -
Nghiên cứu cấu trúc điện tử của dãy penta-silicene đơn lớp bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
par: Lê, Thị Thúy My
Publié: (2019) -
Nghiên cứu tính chất màng ZnO chức năng hóa bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
par: Trần, Hà Duy
Publié: (2017) -
Ảnh hưởng của điện trường lên tính chất quang của graphene hai lớp :
par: Trần, Minh Trung
Publié: (2019) -
Phát hiện sự lai giống của DNA dựa trên vật liệu graphene đơn lớp bằng phương pháp đo hiệu ứng Hall :
par: Phan, Thị Kim Loan
Publié: (2017)