Nghiên cứu tính chất điện tử vật liệu Graphene hai lớp bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Khảo sát cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái của bGNRs với hai biên zigzag và armchair theo hai kiểu xếp Â-stacking và AB-stacking.
Gardado en:
Autor Principal: | Nguyễn, Phương Dung |
---|---|
Formato: | Libro |
Idioma: | Undetermined |
Publicado: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2017
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
Títulos similares
-
Nghiên cứu cấu trúc Silicene bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
por: Nguyễn, Thị Quế Trinh
Publicado: (2017) -
Nghiên cứu cấu trúc điện tử của dãy penta-silicene đơn lớp bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
por: Lê, Thị Thúy My
Publicado: (2019) -
Nghiên cứu tính chất màng ZnO chức năng hóa bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
por: Trần, Hà Duy
Publicado: (2017) -
Ảnh hưởng của điện trường lên tính chất quang của graphene hai lớp :
por: Trần, Minh Trung
Publicado: (2019) -
Phát hiện sự lai giống của DNA dựa trên vật liệu graphene đơn lớp bằng phương pháp đo hiệu ứng Hall :
por: Phan, Thị Kim Loan
Publicado: (2017)