Nghiên cứu sự sai hỏng của tinh thể Silicene bằng phương pháp phiếm hàm mật độ liên kết mạnh : Luận văn thạc sĩ vật lý chuyên ngành Vật lý Lý thuyết và Vật lý toán

Nội dung luận văn giới thiệu về nghiên cứu sự sai hỏng của tinh thể Silicene bằng phương pháp phiếm hàm mật độ liên kết mạnh.

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autor principal: Nguyễn, Thị Thùy Dương
Formato: Libro
Lenguaje:Undetermined
Publicado: Cần Thơ Trường Đại học Cần Thơ 2018
Materias:
Etiquetas: Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ
LEADER 01084nam a2200205Ia 4500
001 CTU_227289
008 210402s9999 xx 000 0 und d
082 |a 621.38152 
082 |b D561 
100 |a Nguyễn, Thị Thùy Dương 
245 0 |a Nghiên cứu sự sai hỏng của tinh thể Silicene bằng phương pháp phiếm hàm mật độ liên kết mạnh : 
245 0 |b Luận văn thạc sĩ vật lý chuyên ngành Vật lý Lý thuyết và Vật lý toán 
245 0 |c Nguyễn Thị Thùy Dương ; Huỳnh Anh Huy (người hướng dẫn khoa học) 
260 |a Cần Thơ 
260 |b Trường Đại học Cần Thơ 
260 |c 2018 
520 |a Nội dung luận văn giới thiệu về nghiên cứu sự sai hỏng của tinh thể Silicene bằng phương pháp phiếm hàm mật độ liên kết mạnh. 
650 |a Chất bán dẫn,Semiconductors 
910 |b dqhieu 
980 |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ