Nghiên cứu sự sai hỏng của tinh thể Silicene bằng phương pháp phiếm hàm mật độ liên kết mạnh : Luận văn thạc sĩ vật lý chuyên ngành Vật lý Lý thuyết và Vật lý toán
Nội dung luận văn giới thiệu về nghiên cứu sự sai hỏng của tinh thể Silicene bằng phương pháp phiếm hàm mật độ liên kết mạnh.
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | Nguyễn, Thị Thùy Dương |
|---|---|
| বিন্যাস: | গ্রন্থ |
| ভাষা: | Undetermined |
| প্রকাশিত: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2018
|
| বিষয়গুলি: | |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Nghiên cứu cấu tạo bề mặt ZnO bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
অনুযায়ী: Bùi, Thị Nguyệt Thu
প্রকাশিত: (2014) -
Nghiên cứu cấu tạo bề mặt TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
অনুযায়ী: Nguyễn, Vy Khương
প্রকাশিত: (2014) -
Khảo sát cơ chế hấp thụ bề mặt ZnO bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
অনুযায়ী: Nguyễn, Thị Hồng Loan
প্রকাশিত: (2015) -
Khảo sát cơ chế hấp thụ bề mặt TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
অনুযায়ী: Viên, Tuấn Anh
প্রকাশিত: (2015) -
Nghiên cứu cấu tạo dây Nanô TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ dựa trên liên kết mạnh :
অনুযায়ী: Huỳnh, Thế Anh
প্রকাশিত: (2014)