Điều khiển độ dẫn điện của Penta-Graphene bằng điện trường ngoài : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Trình bày cơ sở lý thuyết về cấu trúc vùng năng lượng và phương pháp tính, mô hình Hamilton của Penta-Graphene.
Đã lưu trong:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 格式: | 圖書 |
| 語言: | Undetermined |
| 出版: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2018
|
| 主題: | |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
| LEADER | 00980nam a2200205Ia 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | CTU_227576 | ||
| 008 | 210402s9999 xx 000 0 und d | ||
| 082 | |a 537.6226 | ||
| 082 | |b Y600 | ||
| 100 | |a Phạm, Thị Như Ý | ||
| 245 | 0 | |a Điều khiển độ dẫn điện của Penta-Graphene bằng điện trường ngoài : | |
| 245 | 0 | |b Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán | |
| 245 | 0 | |c Phạm Thị Như Ý ; Vũ Thanh Trà (Cán bộ hướng dẫn) | |
| 260 | |a Cần Thơ | ||
| 260 | |b Trường Đại học Cần Thơ | ||
| 260 | |c 2018 | ||
| 520 | |a Trình bày cơ sở lý thuyết về cấu trúc vùng năng lượng và phương pháp tính, mô hình Hamilton của Penta-Graphene. | ||
| 650 | |a Semiconductors,Chất bán dẫn | ||
| 910 | |b nthai | ||
| 980 | |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ | ||