Operation and modeling of the MOS transistor
Gardado en:
| Autor Principal: | |
|---|---|
| Formato: | Libro |
| Idioma: | Undetermined |
| Publicado: |
Boston, Massachusetts
McGraw-Hill
1999
|
| Những chủ đề: | |
| Các nhãn: |
Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
| LEADER | 00630nam a2200193Ia 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | CTU_35532 | ||
| 008 | 210402s9999 xx 000 0 und d | ||
| 020 | |b 239.000đ | ||
| 082 | |a 621.3815 | ||
| 082 | |b T882 | ||
| 100 | |a Yannis Tsividis | ||
| 245 | 0 | |a Operation and modeling of the MOS transistor | |
| 245 | 0 | |c Yannis Tsividis | |
| 260 | |a Boston, Massachusetts | ||
| 260 | |b McGraw-Hill | ||
| 260 | |c 1999 | ||
| 650 | |a metal oxide semiconductors - mathematical models,metal oxide semiconductors-effect transistors - mathematical models | ||
| 904 | |i Minh, 000302 | ||
| 980 | |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ | ||