VLSI fabrication principles : Silicon and gallium arsenide
שמור ב:
| מחבר ראשי: | |
|---|---|
| פורמט: | ספר |
| שפה: | Undetermined |
| יצא לאור: |
New York
John Wiley and Son
1982
|
| נושאים: | |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
| LEADER | 00521nam a2200193Ia 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | CTU_82620 | ||
| 008 | 210402s9999 xx 000 0 und d | ||
| 082 | |a 621.381 | ||
| 082 | |b G411 | ||
| 100 | |a Ghandi, Sorab K. | ||
| 245 | 0 | |a VLSI fabrication principles : | |
| 245 | 0 | |b Silicon and gallium arsenide | |
| 245 | 0 | |c Sorab K. Ghandi | |
| 260 | |a New York | ||
| 260 | |b John Wiley and Son | ||
| 260 | |c 1982 | ||
| 650 | |a Silicon | ||
| 904 | |i QHieu(sửa) | ||
| 980 | |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ | ||