Nghiên cứu ảnh hưởng của các cấu hình nhám bề mặt lên đặc tính vận chuyển của điện tử trong các cấu trúc giếng lượng tử làm từ vật liệu giả kẻm có hằng số mạng không khớp nhau

Luận văn đã chứng minh rằng với một số cấu hình bề mặt tiếp giáp (quy luật Gaussian, quy luật Exponent, quy luật mũ) trong hố lượng tử lệch mạng thực luôn luôn tồn tại các thăng giáng ngẩu nhiên của trường ứng suất. Trong trường hợp...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Nguyễn, Thành Tiên
Định dạng: Sách
Ngôn ngữ:Undetermined
Được phát hành: Cần Thơ Đại học Cần Thơ 2003
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ
Miêu tả
Tóm tắt:Luận văn đã chứng minh rằng với một số cấu hình bề mặt tiếp giáp (quy luật Gaussian, quy luật Exponent, quy luật mũ) trong hố lượng tử lệch mạng thực luôn luôn tồn tại các thăng giáng ngẩu nhiên của trường ứng suất. Trong trường hợp hố lượng tử cấu trúc giả kẽm, sự biến thiên ứng suất có thể tạo ra một mật độ điện tích áp điện thăng giáng lớn và một trường áp điện ngẫu nhiên thậm chí trên hướng nuôi có tính đối xứng cao như hướng [001]. Trường này là sự kết hợp của cả hai yếu tố lệch mạng và nhám bề mặt trong khi trường áp điện truyền thống thì chỉ ảnh hưởng từ yếu tố đầu. Luận văn đã thực hiện tính số cho một số cấu hình bề mặt tiếp giáp. Cuối cùng việc đoán nhận kết quả của luận văn là sự ảnh hưởng của bề mặt nhám vào đặc điểm chuyển của hệ thống lượng tử mà độ không đều của bề mặt phải được tính đến