Nghiên cứu ảnh hưởng của các cấu hình nhám bề mặt lên đặc tính vận chuyển của điện tử trong các cấu trúc giếng lượng tử làm từ vật liệu giả kẻm có hằng số mạng không khớp nhau
Luận văn đã chứng minh rằng với một số cấu hình bề mặt tiếp giáp (quy luật Gaussian, quy luật Exponent, quy luật mũ) trong hố lượng tử lệch mạng thực luôn luôn tồn tại các thăng giáng ngẩu nhiên của trường ứng suất. Trong trường hợp...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Đại học Cần Thơ
2003
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|