Oxide electronics utilizing ultrafast metal-insulator transitions /

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Yang, Zheng
Další autoři: Ko, Changhyun, Ramanathan, Shriram.
Médium: Článek
Jazyk:English
Témata:
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt