Oxide electronics utilizing ultrafast metal-insulator transitions /

保存先:
書誌詳細
第一著者: Yang, Zheng
その他の著者: Ko, Changhyun, Ramanathan, Shriram.
フォーマット: 論文
言語:English
主題:
タグ: タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
LEADER 00932nam a2200313 4500
001 DLU110130535
005 ##20111223
040 # # |a DLU  |b eng 
041 # # |a eng 
044 # # |a us 
100 # # |a Yang, Zheng 
245 # # |a Oxide electronics utilizing ultrafast metal-insulator transitions /  |c Zheng Yang, Changhyun Ko, Shriram Ramanathan. 
653 # # |a Correlated oxides 
653 # # |a Mott transition 
653 # # |a Oxide electronics 
653 # # |a Ultrafast switch 
653 # # |a Vanadium dioxide 
700 # # |a Ko, Changhyun 
700 # # |a Ramanathan, Shriram.  
773 # # |t Annual Review of Materials Research  |g Vol. 41 (2011), p. 337-367 
920 # # |a Phòng Tạp chí -- Trung tâm Thông tin - Thư viện Trường Đại học Đà Lạt 
994 # # |a DLU 
900 # # |a True 
911 # # |a Trương Bảo Trâm Anh 
925 # # |a G 
926 # # |a A 
927 # # |a BB 
980 # # |a Thư viện Trường Đại học Đà Lạt