Nghiên cứu mô phỏng động lực phân tử - nguyên lý ban đầu các đặc tính cấu trúc của hợp kim giả nhị phân A1xGa1-xN /
Đã lưu trong:
| Príomhúdar: | Vũ Ngọc Tước. |
|---|---|
| Údair Eile: | Frauenheim, T. |
| Formáid: | Bài viết |
| Teanga: | Vietnamese |
| Clibeanna: |
Cuir Clib Leis
Gan Chlibeanna, Bí ar an gcéad duine leis an taifead seo a chlibeáil!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Míreanna Comhchosúla
-
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
le: Nguyen, Linh Chi, et al.
Foilsithe: (2023) -
Enhanced cathode-luminescence in a InxGa1-xN/ InyGa1-yN green light emitting diode structure using two-dimensional photonic crystals /
le: Lee, Jae Jin. -
Tính toán giải năng lượng trong vật liệu InxGa1-xN: Độ cong nhỏ của năng lượng vùng cấm /
le: . -
Computational study of the anion photoelectron spectra of FeXn (X=O, S and n = 3,4) cluster Luận án Tiến sĩ
le: Tran, Van Tan
Foilsithe: (2013) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /