Nghiên cứu mô phỏng động lực phân tử - nguyên lý ban đầu các đặc tính cấu trúc của hợp kim giả nhị phân A1xGa1-xN /
Salvato in:
| Autore principale: | Vũ Ngọc Tước. |
|---|---|
| Altri autori: | Frauenheim, T. |
| Natura: | Articolo |
| Lingua: | Vietnamese |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne! !
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Documenti analoghi
-
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
di: Nguyen, Linh Chi, et al.
Pubblicazione: (2023) -
Enhanced cathode-luminescence in a InxGa1-xN/ InyGa1-yN green light emitting diode structure using two-dimensional photonic crystals /
di: Lee, Jae Jin. -
Tính toán giải năng lượng trong vật liệu InxGa1-xN: Độ cong nhỏ của năng lượng vùng cấm /
di: . -
Computational study of the anion photoelectron spectra of FeXn (X=O, S and n = 3,4) cluster Luận án Tiến sĩ
di: Tran, Van Tan
Pubblicazione: (2013) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /