Nghiên cứu mô phỏng động lực phân tử - nguyên lý ban đầu các đặc tính cấu trúc của hợp kim giả nhị phân A1xGa1-xN /
Tallennettuna:
| Päätekijä: | Vũ Ngọc Tước. |
|---|---|
| Muut tekijät: | Frauenheim, T. |
| Aineistotyyppi: | Artikkeli |
| Kieli: | Vietnamese |
| Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Samankaltaisia teoksia
-
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
Tekijä: Nguyen, Linh Chi, et al.
Julkaistu: (2023) -
Enhanced cathode-luminescence in a InxGa1-xN/ InyGa1-yN green light emitting diode structure using two-dimensional photonic crystals /
Tekijä: Lee, Jae Jin. -
Tính toán giải năng lượng trong vật liệu InxGa1-xN: Độ cong nhỏ của năng lượng vùng cấm /
Tekijä: . -
Computational study of the anion photoelectron spectra of FeXn (X=O, S and n = 3,4) cluster Luận án Tiến sĩ
Tekijä: Tran, Van Tan
Julkaistu: (2013) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /