Nghiên cứu mô phỏng động lực phân tử - nguyên lý ban đầu các đặc tính cấu trúc của hợp kim giả nhị phân A1xGa1-xN /
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριος συγγραφέας: | Vũ Ngọc Tước. |
|---|---|
| Άλλοι συγγραφείς: | Frauenheim, T. |
| Μορφή: | Άρθρο |
| Γλώσσα: | Vietnamese |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Παρόμοια τεκμήρια
-
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
ανά: Nguyen, Linh Chi, κ.ά.
Έκδοση: (2023) -
Enhanced cathode-luminescence in a InxGa1-xN/ InyGa1-yN green light emitting diode structure using two-dimensional photonic crystals /
ανά: Lee, Jae Jin. -
Tính toán giải năng lượng trong vật liệu InxGa1-xN: Độ cong nhỏ của năng lượng vùng cấm /
ανά: . -
Computational study of the anion photoelectron spectra of FeXn (X=O, S and n = 3,4) cluster Luận án Tiến sĩ
ανά: Tran, Van Tan
Έκδοση: (2013) - Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /