Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả khác: Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon.
Định dạng: Bài viết
Ngôn ngữ:English
Những chủ đề:
PR
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt