Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
مؤلفون آخرون: Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon.
التنسيق: مقال
اللغة:English
الموضوعات:
PR
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt