Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

Shranjeno v:
Bibliografske podrobnosti
Drugi avtorji: Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon.
Format: Bài viết
Jezik:English
Teme:
PR
Oznake: Označite
Brez oznak, prvi označite!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt