Nghiên cứu ảnh hưởng và thiết kế lớp ô-xít cực cổng để nâng cao đặc tính điện của transistor trường xuyên hầm sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | Ngô Thị Mùa. |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | Nguyễn Đăng Chiến, PGS.TS. (hướng dẫn.) |
| Format: | Abschlussarbeit |
| Sprache: | Vietnamese |
| Veröffentlicht: |
Đà Lạt :
Trường Đại học Đà Lạt,
2019.
|
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Ähnliche Einträge
-
Nghiên cứu ảnh hưởng và thiết kế lớp ô-xít cực cổng để nâng cao đặc tính điện của transistor trường xuyên hầm sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
von: Ngô Thị Mùa.
Veröffentlicht: (2019) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xit cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Transistor thường xuyên hầm
von: Đạo, Thị Kim Anh
Veröffentlicht: (2017) -
Mô phỏng transistor xuyên hầm cộng hưởng
von: Nguyễn, Lê Vân Thanh
Veröffentlicht: (2011) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xít cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Tranzito trường xuyên hầm : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
von: Đạo Thị Kim Anh.
Veröffentlicht: (2016) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xít cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Tranzito trường xuyên hầm : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
von: Đạo Thị Kim Anh.
Veröffentlicht: (2016)