Nghiên cứu ảnh hưởng và thiết kế lớp ô-xít cực cổng để nâng cao đặc tính điện của transistor trường xuyên hầm sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Сохранить в:
| Главный автор: | Ngô Thị Mùa. |
|---|---|
| Другие авторы: | Nguyễn Đăng Chiến, PGS.TS. (hướng dẫn.) |
| Формат: | Luận văn |
| Язык: | Vietnamese |
| Опубликовано: |
Đà Lạt :
Trường Đại học Đà Lạt,
2019.
|
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Схожие документы
-
Nghiên cứu ảnh hưởng và thiết kế lớp ô-xít cực cổng để nâng cao đặc tính điện của transistor trường xuyên hầm sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
по: Ngô Thị Mùa.
Опубликовано: (2019) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xit cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Transistor thường xuyên hầm
по: Đạo, Thị Kim Anh
Опубликовано: (2017) -
Mô phỏng transistor xuyên hầm cộng hưởng
по: Nguyễn, Lê Vân Thanh
Опубликовано: (2011) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xít cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Tranzito trường xuyên hầm : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
по: Đạo Thị Kim Anh.
Опубликовано: (2016) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xít cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Tranzito trường xuyên hầm : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
по: Đạo Thị Kim Anh.
Опубликовано: (2016)