Nghiên cứu mô hình xuyên hầm qua vùng cấm và thiết kế cấu trúc các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm
Chứng minh tính đúng đắn của mẫu xuyên hầm hỗn hợp dựa trên nguyên lý đối xứng, cụ thể là đối xứng giữa các đường đặc tuyến dòng-thế của TFET loại n và p. Làm sáng tỏ sự phụ thuộc của bề dày thân linh kiện tối ưu vào EOT và hằng số điện môi của thân trong TFET lưỡng cổng. Cụ thể hơn, bề dày thân tối...
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Định dạng: | Bài viết |
| Ngôn ngữ: | Vietnamese |
| Được phát hành: |
Bộ Giáo dục và Đào tạo
2024
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/213689 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|