Nghiên cứu ảnh hưởng và thiết kế lớp ô-xít cực cổng để nâng cao đặc tính điện của transistor trường xuyên hầm sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
保存先:
| 第一著者: | Ngô Thị Mùa. |
|---|---|
| その他の著者: | Nguyễn Đăng Chiến, PGS.TS. (hướng dẫn.) |
| フォーマット: | 学位論文 |
| 言語: | Vietnamese |
| 出版事項: |
Đà Lạt :
Trường Đại học Đà Lạt,
2019.
|
| タグ: |
タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
類似資料
-
Nghiên cứu ảnh hưởng và thiết kế lớp ô-xít cực cổng để nâng cao đặc tính điện của transistor trường xuyên hầm sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
著者:: Ngô Thị Mùa.
出版事項: (2019) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xit cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Transistor thường xuyên hầm
著者:: Đạo, Thị Kim Anh
出版事項: (2017) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xít cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Tranzito trường xuyên hầm : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
著者:: Đạo Thị Kim Anh.
出版事項: (2016) -
Mô phỏng transistor xuyên hầm cộng hưởng
著者:: Nguyễn, Lê Vân Thanh
出版事項: (2011) -
Đánh giá các mẫu xuyên hầm qua vùng cấm và mô hình cho Transistor trường xuyên hầm đường : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
著者:: Hoàng Sỹ Đức.
出版事項: (2017)