Nghiên cứu ảnh hưởng và thiết kế lớp ô-xít cực cổng để nâng cao đặc tính điện của transistor trường xuyên hầm sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Ngô Thị Mùa. |
---|---|
Tác giả khác: | Nguyễn Đăng Chiến, PGS.TS. (hướng dẫn.) |
Định dạng: | Luận văn |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
Đà Lạt :
Trường Đại học Đà Lạt,
2019.
|
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Nghiên cứu ảnh hưởng và thiết kế lớp ô-xít cực cổng để nâng cao đặc tính điện của transistor trường xuyên hầm sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Bỡi: Ngô Thị Mùa.
Được phát hành: (2019) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xít cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Tranzito trường xuyên hầm : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Bỡi: Đạo Thị Kim Anh.
Được phát hành: (2016) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xít cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Tranzito trường xuyên hầm : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Bỡi: Đạo Thị Kim Anh.
Được phát hành: (2016) -
Đánh giá các mẫu xuyên hầm qua vùng cấm và mô hình cho Transistor trường xuyên hầm đường : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Bỡi: Hoàng Sỹ Đức.
Được phát hành: (2017) -
Nghiên cứu vật lý linh kiện và thiết kế cấu trúc thân của transistor trường xuyên hầm đường : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Bỡi: Nguyễn Thị Hồng Hạnh.
Được phát hành: (2019)