Nghiên cứu ảnh hưởng và thiết kế lớp ô-xít cực cổng để nâng cao đặc tính điện của transistor trường xuyên hầm sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Uloženo v:
| Hlavní autor: | Ngô Thị Mùa. |
|---|---|
| Další autoři: | Nguyễn Đăng Chiến, PGS.TS. (hướng dẫn.) |
| Médium: | Diplomová práce |
| Jazyk: | Vietnamese |
| Vydáno: |
Đà Lạt :
Trường Đại học Đà Lạt,
2019.
|
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Podobné jednotky
-
Nghiên cứu ảnh hưởng và thiết kế lớp ô-xít cực cổng để nâng cao đặc tính điện của transistor trường xuyên hầm sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Autor: Ngô Thị Mùa.
Vydáno: (2019) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xit cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Transistor thường xuyên hầm
Autor: Đạo, Thị Kim Anh
Vydáno: (2017) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xít cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Tranzito trường xuyên hầm : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Autor: Đạo Thị Kim Anh.
Vydáno: (2016) -
Mô phỏng transistor xuyên hầm cộng hưởng
Autor: Nguyễn, Lê Vân Thanh
Vydáno: (2011) -
Đánh giá các mẫu xuyên hầm qua vùng cấm và mô hình cho Transistor trường xuyên hầm đường : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Autor: Hoàng Sỹ Đức.
Vydáno: (2017)