Nghiên cứu ảnh hưởng và thiết kế lớp ô-xít cực cổng để nâng cao đặc tính điện của transistor trường xuyên hầm sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Enregistré dans:
| Auteur principal: | Ngô Thị Mùa. |
|---|---|
| Autres auteurs: | Nguyễn Đăng Chiến, PGS.TS. (hướng dẫn.) |
| Format: | Thèse |
| Langue: | Vietnamese |
| Publié: |
Đà Lạt :
Trường Đại học Đà Lạt,
2019.
|
| Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Documents similaires
-
Nghiên cứu ảnh hưởng và thiết kế lớp ô-xít cực cổng để nâng cao đặc tính điện của transistor trường xuyên hầm sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
par: Ngô Thị Mùa.
Publié: (2019) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xit cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Transistor thường xuyên hầm
par: Đạo, Thị Kim Anh
Publié: (2017) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xít cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Tranzito trường xuyên hầm : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
par: Đạo Thị Kim Anh.
Publié: (2016) -
Mô phỏng transistor xuyên hầm cộng hưởng
par: Nguyễn, Lê Vân Thanh
Publié: (2011) -
Đánh giá các mẫu xuyên hầm qua vùng cấm và mô hình cho Transistor trường xuyên hầm đường : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
par: Hoàng Sỹ Đức.
Publié: (2017)