Nghiên cứu ảnh hưởng và thiết kế lớp ô-xít cực cổng để nâng cao đặc tính điện của transistor trường xuyên hầm sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Salvato in:
| Autore principale: | Ngô Thị Mùa. |
|---|---|
| Altri autori: | Nguyễn Đăng Chiến, PGS.TS. (hướng dẫn.) |
| Natura: | Tesi |
| Lingua: | Vietnamese |
| Pubblicazione: |
Đà Lạt :
Trường Đại học Đà Lạt,
2019.
|
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne! !
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Documenti analoghi
-
Nghiên cứu ảnh hưởng và thiết kế lớp ô-xít cực cổng để nâng cao đặc tính điện của transistor trường xuyên hầm sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
di: Ngô Thị Mùa.
Pubblicazione: (2019) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xit cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Transistor thường xuyên hầm
di: Đạo, Thị Kim Anh
Pubblicazione: (2017) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xít cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Tranzito trường xuyên hầm : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
di: Đạo Thị Kim Anh.
Pubblicazione: (2016) -
Mô phỏng transistor xuyên hầm cộng hưởng
di: Nguyễn, Lê Vân Thanh
Pubblicazione: (2011) -
Đánh giá các mẫu xuyên hầm qua vùng cấm và mô hình cho Transistor trường xuyên hầm đường : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
di: Hoàng Sỹ Đức.
Pubblicazione: (2017)