Nghiên cứu ảnh hưởng và thiết kế lớp ô-xít cực cổng để nâng cao đặc tính điện của transistor trường xuyên hầm sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριος συγγραφέας: | Ngô Thị Mùa. |
|---|---|
| Άλλοι συγγραφείς: | Nguyễn Đăng Chiến, PGS.TS. (hướng dẫn.) |
| Μορφή: | Thesis |
| Γλώσσα: | Vietnamese |
| Έκδοση: |
Đà Lạt :
Trường Đại học Đà Lạt,
2019.
|
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Παρόμοια τεκμήρια
-
Nghiên cứu ảnh hưởng và thiết kế lớp ô-xít cực cổng để nâng cao đặc tính điện của transistor trường xuyên hầm sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
ανά: Ngô Thị Mùa.
Έκδοση: (2019) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xit cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Transistor thường xuyên hầm
ανά: Đạo, Thị Kim Anh
Έκδοση: (2017) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xít cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Tranzito trường xuyên hầm : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
ανά: Đạo Thị Kim Anh.
Έκδοση: (2016) -
Mô phỏng transistor xuyên hầm cộng hưởng
ανά: Nguyễn, Lê Vân Thanh
Έκδοση: (2011) -
Đánh giá các mẫu xuyên hầm qua vùng cấm và mô hình cho Transistor trường xuyên hầm đường : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
ανά: Hoàng Sỹ Đức.
Έκδοση: (2017)