Nghiên cứu ảnh hưởng và thiết kế lớp ô-xít cực cổng để nâng cao đặc tính điện của transistor trường xuyên hầm sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
Zapisane w:
| 1. autor: | Ngô Thị Mùa. |
|---|---|
| Kolejni autorzy: | Nguyễn Đăng Chiến, PGS.TS. (hướng dẫn.) |
| Format: | Praca dyplomowa |
| Język: | Vietnamese |
| Wydane: |
Đà Lạt :
Trường Đại học Đà Lạt,
2019.
|
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Podobne zapisy
-
Nghiên cứu ảnh hưởng và thiết kế lớp ô-xít cực cổng để nâng cao đặc tính điện của transistor trường xuyên hầm sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
od: Ngô Thị Mùa.
Wydane: (2019) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xit cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Transistor thường xuyên hầm
od: Đạo, Thị Kim Anh
Wydane: (2017) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xít cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Tranzito trường xuyên hầm : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
od: Đạo Thị Kim Anh.
Wydane: (2016) -
Mô phỏng transistor xuyên hầm cộng hưởng
od: Nguyễn, Lê Vân Thanh
Wydane: (2011) -
Đánh giá các mẫu xuyên hầm qua vùng cấm và mô hình cho Transistor trường xuyên hầm đường : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
od: Hoàng Sỹ Đức.
Wydane: (2017)