Operation and modeling of the MOS transistor
Extensively revised and updated, this, the second edition of the highly praised text Operation and Modeling of The MOS Transistor, has become a standard in academia and industry. The book provides a thorough treatment of the MOS transistor-the key element of most modern microelectronic chips.
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Tác giả khác: | |
Ngôn ngữ: | Undetermined English |
Được phát hành: |
New York
Oxford University Press
2011
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Trà Vinh |
---|
LEADER | 01037nam a2200229Ia 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | TVU_13213 | ||
008 | 210423s9999 xx 000 0 und d | ||
020 | |a 9780195170153 | ||
041 | |a eng | ||
082 | |a 621.3815284 | ||
082 | |b Y600 | ||
100 | |a Yannis Tsividis | ||
245 | 0 | |a Operation and modeling of the MOS transistor | |
245 | 0 | |c Yannis Tsividis, Colin McAndrew | |
260 | |a New York | ||
260 | |b Oxford University Press | ||
260 | |c 2011 | ||
300 | |a xxiv, 723Tr ; Tr25 cm. | ||
520 | |a Extensively revised and updated, this, the second edition of the highly praised text Operation and Modeling of The MOS Transistor, has become a standard in academia and industry. The book provides a thorough treatment of the MOS transistor-the key element of most modern microelectronic chips. | ||
650 | |a Metal oxide semiconductors --Mathematical models.; Metal oxide semiconductor field-effect transistors --Mathematical models | ||
700 | |a Yannis Tsividis; Colin McAndrew | ||
980 | |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Trà Vinh |