Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Lương, Thị Kim Phượng |
---|---|
التنسيق: | مقال |
اللغة: | Vietnamese |
منشور في: |
2023
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=284448 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/125512 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
مواد مشابهة
-
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
بواسطة: Lương, Thị Kim Phượng
منشور في: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
بواسطة: Lương, Thị Kim Phượng
منشور في: (2024) -
KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
بواسطة: Lương, Thị Kim Phượng, وآخرون
منشور في: (2025) -
ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
بواسطة: Lương, Thị Kim Phượng
منشور في: (2023) -
INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
بواسطة: Lương, Thị Kim Phượng
منشور في: (2023)