Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
Gespeichert in:
1. Verfasser: | Lương, Thị Kim Phượng |
---|---|
Format: | Artikel |
Sprache: | Vietnamese |
Veröffentlicht: |
2023
|
Schlagworte: | |
Online Zugang: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=284448 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/125512 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Ähnliche Einträge
-
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
von: Lương, Thị Kim Phượng
Veröffentlicht: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
von: Lương, Thị Kim Phượng
Veröffentlicht: (2024) -
KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
von: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
Veröffentlicht: (2025) -
ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
von: Lương, Thị Kim Phượng
Veröffentlicht: (2023) -
INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
von: Lương, Thị Kim Phượng
Veröffentlicht: (2023)