Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
Enregistré dans:
Auteur principal: | Lương, Thị Kim Phượng |
---|---|
Format: | Article |
Langue: | Vietnamese |
Publié: |
2023
|
Sujets: | |
Accès en ligne: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=284448 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/125512 |
Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Documents similaires
-
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
par: Lương, Thị Kim Phượng
Publié: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
par: Lương, Thị Kim Phượng
Publié: (2024) -
KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
par: Lương, Thị Kim Phượng, et autres
Publié: (2025) -
ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
par: Lương, Thị Kim Phượng
Publié: (2023) -
INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
par: Lương, Thị Kim Phượng
Publié: (2023)