Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử

QRコード

Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử

保存先:

書誌詳細
第一著者:	Lương, Thị Kim Phượng
フォーマット:	論文
言語:	Vietnamese
出版事項:	2023
主題:	Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên
オンライン･アクセス:	https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=284448 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/125512
タグ:	タグ追加タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

類似資料

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
著者:: Lương, Thị Kim Phượng
出版事項: (2023)

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
著者:: Lương, Thị Kim Phượng
出版事項: (2024)

KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
著者:: Lương, Thị Kim Phượng, 等
出版事項: (2025)

ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
著者:: Lương, Thị Kim Phượng
出版事項: (2023)

INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
著者:: Lương, Thị Kim Phượng
出版事項: (2023)

INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
著者:: Lương, Thị Kim Phượng
出版事項: (2024)

Nghiên cứu sự phân bố của nguyên tử antimony trong màng Ge/Gi đồng pha tạp Sb và P sử dụng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
著者:: Lương, Thị Kim Phượng, 等
出版事項: (2023)

PRELIMINARY STUDY ON GeTe-SbTe AND Sm-B TOPOLOGICAL INSULATORS
著者:: Nguyen, Thi Le Thi, 等
出版事項: (2024)

Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
著者:: Lương, Thị Kim Phượng
出版事項: (2024)

Khống chế sự hình thành tăng trưởng dạng đảo của Germani trên đế silic bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử
著者:: Lương, Thị Kim Phượng
出版事項: (2024)

Phân tích đồng thời Sb(III) và Sb(V) sử dụng kỹ thuật chiết pha rắn và phổ hấp thụ nguyên tử - hiđrua hóa /
著者:: Nguyễn Thị Ngọc Anh.

Phân tích đồng thời Sb(III) và Sb(V) sử dụng kỹ thuật chiết pha rắn và phổ hấp thụ nguyên tử - hiđrua hóa
著者:: Nguyễn, Thị Ngọc Anh, 等
出版事項: (2024)

Phương pháp xử lý bề mặt đế silic ở nhiệt độ thấp ứng dụng trong kỹ thuật tăng trưởng Epitaxy chùm phân tử
著者:: Lương, Thị Kim Phượng
出版事項: (2024)

Nguồn Nơtron năng lượng cao tạo ra từ bia Pb được bắn bởi chùm electron 2,5 GeV /
著者:: .

Morphological organization in epitaxial growth and removal
著者:: Zhang, Zhenyu
出版事項: (1998)

Morphological organization in epitaxial growth and removal.
出版事項: (1998)

Morphological Organizations in Epitaxial Growth and Removal /
著者:: Zhang Zhenyu
出版事項: (1999)

Tối ưu hóa các đặc trưng quang học của sợi tinh thể quang tử nền Ge20Sb5Se75
著者:: Võ, Thị Minh Ngọc, 等
出版事項: (2023)

Hiệu ứng màn chắn trong phản ứng P-N với các bia chì, uranium, vàng ở năng lượng bắn phá của proton từ 0.5 GeV đến 1.5 GeV :
著者:: Lê, Thị Thanh Trúc
出版事項: (2009)

Hiệu ứng từ điện trở trong vật liệu bán Heusler CoMnSb /
著者:: Lê Thanh Hùng.

Đo tiết diện bắt bức xạ nơtron trung bình của Te, Ba, Sb, trên các chùm nơtron phin lọc 55 và 144 KEV /
著者:: Nguyễn Xuân Trọng.

Đo tiết diện bắt bức xạ Nơtron trung bình của Te,Ba,Sb trên các chùm Nơtron phin lọc 55 và 144 kev
著者:: Nguyễn, Xuân Trọng
出版事項: (2013)

Đo tiết diện bắt bức xạ Nơtron trung bình của Te, Ba, Sb trên các chùm Nơtron phin lọc 55 và 144 Kev
著者:: Nguyễn, Xuân Trọng
出版事項: (2013)

Nghiên cứu chế tạo diode phát quang trên nền vật liệu Ge/Si pha tạp điện tử mật độ cao ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
著者:: Lương, Thị Kim Phượng
出版事項: (2023)

Nghiên cứu phản ứng hạt nhân (p,n) trên các bia chì (Pb), Wolfram (W) và Uranium (U) với năng lượng bắn phá tương đối thấp ( từ 0.01GeV đến 0.05GeV) :
著者:: Trần, Thị Diễm
出版事項: (2011)

Hiệu ứng giam cầm và tính chất điện tử của dây nano Ge /
著者:: Nguyễn Hồng Quang.

Observation of Superconductivity in Epitaxially Grown Atomic Layers. 1st ed. 2018
著者:: Ichinokura, Satoru
出版事項: (2020)

Phân bố góc của Neutron sinh ra trong phản ứng (P,N) trên các bia với năng lượng bắn phá từ 0.5 GeV đến 1.5 GeV có tính đến hiệu ứng màn chắn :
著者:: Huỳnh, Thanh Trúc
出版事項: (2011)

Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường
著者:: Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh, 等
出版事項: (2023)

The new GE :
著者:: Slater, Robert
出版事項: (1993)

Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
著者:: Nguyễn, Đăng Chiến, 等
出版事項: (2024)

Ảnh hưởng của nhiệt độ và căng thẳng điện trên giao diện InGaP / GaAs điện trở quang: Đánh giá
著者:: Than, Hồng Phúc, 等
出版事項: (2025)

U xương chũm - Báo cáo ca lâm sàng hiếm gặp
著者:: Nguyễn, Tài Dũng
出版事項: (2024)

Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
著者:: Lương, Thị Kim Phượng, 等
出版事項: (2024)

Cấu trúc địện tử của chất rắn
著者:: Đỗ, Xuân Thành
出版事項: (2011)

Ảnh hưởng của nhiệt độ và căng thẳng điện trên giao diện InGaP
著者:: GaAs, điện trở quang Đánh giá
出版事項: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
著者:: Lê, Thị Giang, 等
出版事項: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
著者:: Lê, Thị Giang, 等
出版事項: (2024)

Từ điển tiếng Nga T.4(P-V)
出版事項: (1982)

Community Experiences: Reading and Communication for Civics SB /
著者:: Terill Lynda
出版事項: (2005)