Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử

QR Code (код быстрого отклика)

Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử

Сохранить в:

Библиографические подробности
Главный автор:	Lương, Thị Kim Phượng
Формат:	Статья
Язык:	Vietnamese
Опубликовано:	2023
Предметы:	Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên
Online-ссылка:	https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=284448 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/125512
Метки:	Добавить метку Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Схожие документы

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
по: Lương, Thị Kim Phượng
Опубликовано: (2023)

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
по: Lương, Thị Kim Phượng
Опубликовано: (2024)

KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
по: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
Опубликовано: (2025)

ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
по: Lương, Thị Kim Phượng
Опубликовано: (2023)

INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
по: Lương, Thị Kim Phượng
Опубликовано: (2023)

INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
по: Lương, Thị Kim Phượng
Опубликовано: (2024)

Nghiên cứu sự phân bố của nguyên tử antimony trong màng Ge/Gi đồng pha tạp Sb và P sử dụng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
по: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
Опубликовано: (2023)

PRELIMINARY STUDY ON GeTe-SbTe AND Sm-B TOPOLOGICAL INSULATORS
по: Nguyen, Thi Le Thi, et al.
Опубликовано: (2024)

Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
по: Lương, Thị Kim Phượng
Опубликовано: (2024)

Khống chế sự hình thành tăng trưởng dạng đảo của Germani trên đế silic bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử
по: Lương, Thị Kim Phượng
Опубликовано: (2024)

Phân tích đồng thời Sb(III) và Sb(V) sử dụng kỹ thuật chiết pha rắn và phổ hấp thụ nguyên tử - hiđrua hóa /
по: Nguyễn Thị Ngọc Anh.

Phân tích đồng thời Sb(III) và Sb(V) sử dụng kỹ thuật chiết pha rắn và phổ hấp thụ nguyên tử - hiđrua hóa
по: Nguyễn, Thị Ngọc Anh, et al.
Опубликовано: (2024)

Phương pháp xử lý bề mặt đế silic ở nhiệt độ thấp ứng dụng trong kỹ thuật tăng trưởng Epitaxy chùm phân tử
по: Lương, Thị Kim Phượng
Опубликовано: (2024)

Nguồn Nơtron năng lượng cao tạo ra từ bia Pb được bắn bởi chùm electron 2,5 GeV /
по: .

Morphological organization in epitaxial growth and removal
по: Zhang, Zhenyu
Опубликовано: (1998)

Morphological organization in epitaxial growth and removal.
Опубликовано: (1998)

Morphological Organizations in Epitaxial Growth and Removal /
по: Zhang Zhenyu
Опубликовано: (1999)

Tối ưu hóa các đặc trưng quang học của sợi tinh thể quang tử nền Ge20Sb5Se75
по: Võ, Thị Minh Ngọc, et al.
Опубликовано: (2023)

Hiệu ứng màn chắn trong phản ứng P-N với các bia chì, uranium, vàng ở năng lượng bắn phá của proton từ 0.5 GeV đến 1.5 GeV :
по: Lê, Thị Thanh Trúc
Опубликовано: (2009)

Hiệu ứng từ điện trở trong vật liệu bán Heusler CoMnSb /
по: Lê Thanh Hùng.

Đo tiết diện bắt bức xạ nơtron trung bình của Te, Ba, Sb, trên các chùm nơtron phin lọc 55 và 144 KEV /
по: Nguyễn Xuân Trọng.

Đo tiết diện bắt bức xạ Nơtron trung bình của Te,Ba,Sb trên các chùm Nơtron phin lọc 55 và 144 kev
по: Nguyễn, Xuân Trọng
Опубликовано: (2013)

Đo tiết diện bắt bức xạ Nơtron trung bình của Te, Ba, Sb trên các chùm Nơtron phin lọc 55 và 144 Kev
по: Nguyễn, Xuân Trọng
Опубликовано: (2013)

Nghiên cứu chế tạo diode phát quang trên nền vật liệu Ge/Si pha tạp điện tử mật độ cao ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
по: Lương, Thị Kim Phượng
Опубликовано: (2023)

Nghiên cứu phản ứng hạt nhân (p,n) trên các bia chì (Pb), Wolfram (W) và Uranium (U) với năng lượng bắn phá tương đối thấp ( từ 0.01GeV đến 0.05GeV) :
по: Trần, Thị Diễm
Опубликовано: (2011)

Hiệu ứng giam cầm và tính chất điện tử của dây nano Ge /
по: Nguyễn Hồng Quang.

Observation of Superconductivity in Epitaxially Grown Atomic Layers. 1st ed. 2018
по: Ichinokura, Satoru
Опубликовано: (2020)

Phân bố góc của Neutron sinh ra trong phản ứng (P,N) trên các bia với năng lượng bắn phá từ 0.5 GeV đến 1.5 GeV có tính đến hiệu ứng màn chắn :
по: Huỳnh, Thanh Trúc
Опубликовано: (2011)

Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường
по: Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh, et al.
Опубликовано: (2023)

The new GE :
по: Slater, Robert
Опубликовано: (1993)

Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2024)

Ảnh hưởng của nhiệt độ và căng thẳng điện trên giao diện InGaP / GaAs điện trở quang: Đánh giá
по: Than, Hồng Phúc, et al.
Опубликовано: (2025)

U xương chũm - Báo cáo ca lâm sàng hiếm gặp
по: Nguyễn, Tài Dũng
Опубликовано: (2024)

Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
по: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
Опубликовано: (2024)

Cấu trúc địện tử của chất rắn
по: Đỗ, Xuân Thành
Опубликовано: (2011)

Ảnh hưởng của nhiệt độ và căng thẳng điện trên giao diện InGaP
по: GaAs, điện trở quang Đánh giá
Опубликовано: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
по: Lê, Thị Giang, et al.
Опубликовано: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
по: Lê, Thị Giang, et al.
Опубликовано: (2024)

Từ điển tiếng Nga T.4(P-V)
Опубликовано: (1982)

Community Experiences: Reading and Communication for Civics SB /
по: Terill Lynda
Опубликовано: (2005)