Tính chất điện tử của đơn lớp galinium selenide: Các tính toán bằng lý thuyết hàm mật độ
সংরক্ষণ করুন:
প্রধান লেখক: | Võ, Thị Tuyết Vi, Bùi, Đình Hợi, Nguyễn, Văn Chương, Nguyễn, Ngọc Hiếu |
---|---|
বিন্যাস: | প্রবন্ধ |
ভাষা: | Vietnamese |
প্রকাশিত: |
2023
|
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=312589 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/128712 |
ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Ultrasonic synthesis of nanocrystals of metal selenides and tellurides /
অনুযায়ী: Ge, Jian-Ping. -
Nghiên cứu tổng hợp và một số đặc trưng cơ bản của chấm lượng tử Cadmium Selenide :
অনুযায়ী: Trần, Thị Nga
প্রকাশিত: (2011) -
Ảnh hưởng của biến dạng phẳng lên tính chất điện tử và quang học của đơn lớp GaSe
অনুযায়ী: Võ, Thị Tuyết Vi, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2023) -
Xây dựng trường lực nâng cao cho các lớp đơn graphene bằng cách điều chỉnh dữ liệu lý thuyết hàm mật độ dựa trên mạng nơ-ron
অনুযায়ী: Phạm, Tấn Tiến, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2025) -
Vận dụng lý thuyết tình huống Didactic vào dạy học tính đơn điệu của hàm số :
অনুযায়ী: Nguyễn, Minh Duy
প্রকাশিত: (2017)