Tính chất điện tử của đơn lớp galinium selenide: Các tính toán bằng lý thuyết hàm mật độ
Enregistré dans:
Auteurs principaux: | Võ, Thị Tuyết Vi, Bùi, Đình Hợi, Nguyễn, Văn Chương, Nguyễn, Ngọc Hiếu |
---|---|
Format: | Article |
Langue: | Vietnamese |
Publié: |
2023
|
Sujets: | |
Accès en ligne: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=312589 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/128712 |
Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Documents similaires
-
Ultrasonic synthesis of nanocrystals of metal selenides and tellurides /
par: Ge, Jian-Ping. -
Nghiên cứu tổng hợp và một số đặc trưng cơ bản của chấm lượng tử Cadmium Selenide :
par: Trần, Thị Nga
Publié: (2011) -
Ảnh hưởng của biến dạng phẳng lên tính chất điện tử và quang học của đơn lớp GaSe
par: Võ, Thị Tuyết Vi, et autres
Publié: (2023) -
Xây dựng trường lực nâng cao cho các lớp đơn graphene bằng cách điều chỉnh dữ liệu lý thuyết hàm mật độ dựa trên mạng nơ-ron
par: Phạm, Tấn Tiến, et autres
Publié: (2025) -
Vận dụng lý thuyết tình huống Didactic vào dạy học tính đơn điệu của hàm số :
par: Nguyễn, Minh Duy
Publié: (2017)