Tính chất điện tử của đơn lớp galinium selenide: Các tính toán bằng lý thuyết hàm mật độ
में बचाया:
मुख्य लेखकों: | Võ, Thị Tuyết Vi, Bùi, Đình Hợi, Nguyễn, Văn Chương, Nguyễn, Ngọc Hiếu |
---|---|
स्वरूप: | लेख |
भाषा: | Vietnamese |
प्रकाशित: |
2023
|
विषय: | |
ऑनलाइन पहुंच: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=312589 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/128712 |
टैग : |
टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
समान संसाधन
-
Ultrasonic synthesis of nanocrystals of metal selenides and tellurides /
द्वारा: Ge, Jian-Ping. -
Nghiên cứu tổng hợp và một số đặc trưng cơ bản của chấm lượng tử Cadmium Selenide :
द्वारा: Trần, Thị Nga
प्रकाशित: (2011) -
Ảnh hưởng của biến dạng phẳng lên tính chất điện tử và quang học của đơn lớp GaSe
द्वारा: Võ, Thị Tuyết Vi, और अन्य
प्रकाशित: (2023) -
Xây dựng trường lực nâng cao cho các lớp đơn graphene bằng cách điều chỉnh dữ liệu lý thuyết hàm mật độ dựa trên mạng nơ-ron
द्वारा: Phạm, Tấn Tiến, और अन्य
प्रकाशित: (2025) -
Vận dụng lý thuyết tình huống Didactic vào dạy học tính đơn điệu của hàm số :
द्वारा: Nguyễn, Minh Duy
प्रकाशित: (2017)