Tính chất điện tử của đơn lớp galinium selenide: Các tính toán bằng lý thuyết hàm mật độ
保存先:
主要な著者: | Võ, Thị Tuyết Vi, Bùi, Đình Hợi, Nguyễn, Văn Chương, Nguyễn, Ngọc Hiếu |
---|---|
フォーマット: | 論文 |
言語: | Vietnamese |
出版事項: |
2023
|
主題: | |
オンライン・アクセス: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=312589 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/128712 |
タグ: |
タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
類似資料
-
Ultrasonic synthesis of nanocrystals of metal selenides and tellurides /
著者:: Ge, Jian-Ping. -
Nghiên cứu tổng hợp và một số đặc trưng cơ bản của chấm lượng tử Cadmium Selenide :
著者:: Trần, Thị Nga
出版事項: (2011) -
Ảnh hưởng của biến dạng phẳng lên tính chất điện tử và quang học của đơn lớp GaSe
著者:: Võ, Thị Tuyết Vi, 等
出版事項: (2023) -
Xây dựng trường lực nâng cao cho các lớp đơn graphene bằng cách điều chỉnh dữ liệu lý thuyết hàm mật độ dựa trên mạng nơ-ron
著者:: Phạm, Tấn Tiến, 等
出版事項: (2025) -
Vận dụng lý thuyết tình huống Didactic vào dạy học tính đơn điệu của hàm số :
著者:: Nguyễn, Minh Duy
出版事項: (2017)