Sự kết cặp của phonon quang dọc - plasmon trong các lớp bán dẫn InGaN
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Dương, Đình Phước, Đinh, Như Thảo |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2023
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=319335 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/167953 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Nghiên cứu hiện tượng kết cặp của phonon quang dọc và plasmon trong các lớp màng mỏng bán dẫn InAlAs
Bỡi: Dương, Đình Phước, et al.
Được phát hành: (2024) -
Electrical characterizations of diodes fabricated on GaN and InGaN films by RF magnetron sputtering
Bỡi: Thi, Tran Anh Tuan
Được phát hành: (2015) -
Influence of phonon confinement on cyclotron-phonon resonance in infinite square quantum well
Bỡi: Võ, Thành Lâm, et al.
Được phát hành: (2023) -
Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (LED) chế tạo bằng phương pháp MOCVD
Bỡi: Trần, Bình Tịnh
Được phát hành: (2011) -
Hấp thụ phi tuyến hai photon trong MoS2 đơn lớp dưới ảnh hưởng của tương tác electron-phonon âm dọc-áp điện
Bỡi: Lê, Đình, et al.
Được phát hành: (2024)